[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710111075.0 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107068766B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底上的氧化物半导体膜；电连接到所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；栅电极；以及所述栅电极与所述氧化物半导体膜之间的栅极绝缘膜，其中，所述栅极绝缘膜包含硅和氧，所述氧化物半导体膜中的硅的浓度为1.0at.％以下，所述氧化物半导体膜包含硅的浓度从所述栅极绝缘膜侧至所述栅电极侧连续地减小的区域，并且所述氧化物半导体膜包含结晶部。
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