[发明专利]操作非易失性存储器设备的方法有效
| 申请号： | 201710111215.4 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107154274B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 尹铉竣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了操作非易失性存储器设备的方法，该方法包括：使用第一感测电压执行第一感测操作；根据由于第一感测操作而存储在页缓冲器的第一锁存器单元中的第一数据，对多个位线当中的一些位线预充电；复位第一锁存器单元；以及使用第二感测电压执行第二感测操作。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 非易失性存储器 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种操作非易失性存储器设备的方法，所述方法包括：使用第一感测电压对所述非易失性存储器设备的存储单元执行第一感测操作；根据由于所述第一感测操作而在页缓冲器的第一锁存器单元中存储的第一数据，对连接到所述存储单元的多个位线当中的一些位线预充电；在所述预充电之后复位所述第一锁存器单元；以及使用第二感测电压对所述存储单元执行第二感测操作。
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