[发明专利]半导体存储器设备及其制造方法有效
| 申请号： | 201710111386.7 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107863124B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 鸟山周一;堀井秀人;河井友也 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;刘炳胜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在对存储器元的写入操作中，当要被提供至选定的存储器元的阈值电压不小于参考值时，所述控制单元能用于向对应于选定的存储器元的字线施加编程电压，并且使得被施加至与位于所述第一端部和选定的存储器元之间的第一未被选定的存储器元相对应的第一字线的电压高于被施加至与位于第二端部和选定的存储器元之间的第二未被选定的存储器元相对应的第二字线的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器设备，包括：存储器元阵列，在所述存储器元阵列中，多个存储器元被串联地连接以形成存储器单元；字线，其被连接至所述多个存储器元的控制栅极；位线，其被连接至所述存储器单元的第一端部；源极线，其被连接至所述存储器单元的第二端部；以及控制单元，其控制所述存储器元阵列，其中，在对所述存储器元的写入操作中，当要被提供至选定的存储器元的阈值电压不小于参考值时，所述控制单元能操作用于：向对应于选定的存储器元的字线施加编程电压，并且使得被施加至与位于所述第一端部和所述选定的存储器元之间的第一未被选定的存储器元相对应的第一字线的电压高于被施加至与位于所述第二端部和所述选定的存储器元之间的第二未被选定的存储器元相对应的第二字线的电压。
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