[发明专利]成膜方法及等离子体化学气相沉积装置

摘要

本发明提供一种成膜方法及等离子体化学气相沉积装置。PCVD装置具备以位于反应炉内的部位支承工件并使从高频输出装置输出的微波向工件传播的导波构件。将使通过导波构件向工件传播的微波的强度从“0”开始逐渐加大的过程中该工件的偏置电流跳跃时的从高频输出装置输出的微波的强度设为第一强度，将使微波的强度从第一强度加大的过程中偏置电流再次跳跃时的微波的强度设为第二强度。在成膜时，从高频输出装置输出比第一强度大且比第二强度小的强度的微波。

主权项

1.一种成膜方法，使用等离子体化学气相沉积装置，使供给到该等离子体化学气相沉积装置的反应炉内的碳氢化合物气体发生等离子化而分解，从而在设置于该反应炉内的工件上生成类金刚石碳膜，其特征在于，从高频输出装置输出强度比第一强度大且比第二强度小的微波，所述等离子体化学气相沉积装置是具备输出微波的所述高频输出装置和导波构件的装置，所述导波构件从所述反应炉外延伸至该反应炉内，以位于该反应炉内的部位对工件进行支承，并且使从所述高频输出装置输出的微波向该工件传播，将使通过所述导波构件向工件传播的微波的强度从“0”开始逐渐加大的过程中该工件的偏置电流跳跃时的从所述高频输出装置输出的微波的强度设为所述第一强度，将使该微波的强度从该第一强度逐渐加大的过程中该工件的偏置电流再次跳跃时的微波的强度设为所述第二强度。