[发明专利]反铁电类材料在非易失性存储器件中的应用

摘要

本发明公开了反铁电类材料在非易失性存储器件中的应用。公开了在电容器或晶体管堆栈中包括箍缩磁滞环(PHL)材料的集成器件。PHL材料包括场诱导铁电(FFE)材料、反铁电(AFE)材料和弛豫型铁电(RFE)材料。每个集成器件包括具有设置在两个电极之间的PHL材料层的材料堆栈。该材料的应用取决于在堆栈上电场偏置的诱导。根据一个选项，可以采用具有不同功函数值的电极来诱导所需的内建偏置场并且使得能够使用PHL材料。根据另一选项，将PHL材料和电荷(例如电荷中间层)设置在两个电极之间，使得出现诱导的内建偏置场。采用PHL材料堆栈的集成器件包括存储器、晶体管以及压电和热电器件。

主权项

一种集成电路元件，包括：第一电极；第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包含具有带有两个磁滞环的电荷‑电压特性的箍缩磁滞环(PHL)材料的层，所述储存层具有内部偏置场，所述内部偏置场使所述箍缩磁滞环(PHL)材料的所述电荷‑电压特性偏移，以使所述两个磁滞环中的一者与零电压状态对准，使得所述箍缩磁滞环(PHL)材料能够在外部电场不存在的情况下保持在选定的极化状态。