[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201710115655.7 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108511573A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 王建华;王晓萌;李晓明;刘琦;闫宝华;汤福国 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：（1）在p型GaN层的表面生长透明导电膜；（2）腐蚀出由透明导电膜构成的电流扩展层台面图形；通过控制腐蚀时间，制作出p型GaN台面结构，腐蚀后不去胶；（4）根据台面结构的图形通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出台面结构，在n型GaN层上制备出台面，同时去除表面的光刻胶；（5）分别在透明导电膜和n型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极，得到GaN基发光二极管芯片；（6）制作钝化层。本发明中省去常规的工艺中腐蚀后去胶、再甩胶、曝光、显影等步骤，简化了光刻工艺的一次流程，缩短了生产周期，提高工作效率，同时又降低了原材料的消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 透明导电膜 腐蚀 芯片 去胶 生产周期 电流扩展层 表面生长 干法刻蚀 工作效率 光刻工艺 台面结构 常规的 钝化层 光刻胶 面结构 台面 刻蚀 甩胶 显影 去除 消耗 曝光 制作 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，包括以下步骤：(1)在GaN基发光二极管外延片的p型GaN层上蒸镀一层透明导电膜；(2)在透明导电膜表面涂上正性光刻胶，对正性光刻胶进行光刻，光刻出透明导电膜台面图形；(3)对透明导电膜进行腐蚀，腐蚀出由透明导电膜构成的电流扩展层台面图形，继续腐蚀使光刻胶图形与透明导电膜台面之间形成间隙，通过控制腐蚀时间，制作出p型GaN台面结构，冲水甩干，不需要去除表面光刻胶；(4)根据p型GaN台面结构的图形通过干法刻蚀沿GaN基外延片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出台面结构，在n型GaN层上制备出台面，同时去除表面的光刻胶；(5)分别在透明导电膜和n型GaN层的台面上制备p型电极和n型电极，得到GaN基发光二极管芯片；(6)在GaN基发光二极管芯片表面上制作钝化层。
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