[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片的制备方法

摘要

一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，属于光电子技术领域，通过在p型GaN层的表面先刻蚀大台面结构，再生长电流阻挡层，然后经过光刻腐蚀电流阻挡层，蒸镀透明导电膜，光刻小台图形，生长SiO2钝化层，然后在钝化层上甩匀光刻胶、曝光和显影，制作出P型电极和N型电极结构图形，在经过干法刻蚀钝化层，之后再刻蚀掉不导电层。本发明通过O2等离子体轰击光刻胶，刻蚀后不去胶，通过离子体轰击光刻胶的方法直接将大台图形轰击为小台图形，光刻大台和光刻小台步骤只需要甩一边胶、一次光刻即可，减少了光刻的步数，同时也避免了因为多一步光刻步骤而容易出现的过腐蚀、曝光异常等常见光刻异常，提高了产品良率。

主权项

1.一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，包括如下步骤:(1)在GaN基发光二极管晶片的P型GaN层表面生长电流阻挡层；(2)在生长完电流阻挡层后的晶片上甩正性光刻胶，做出电流阻挡层图形后，去除表面残留光刻胶；(3)在带有电流阻挡层的晶片上蒸镀透明导电膜；(4)在透明导电膜上甩正性光刻胶，经过显影、曝光、腐蚀和坚膜后做出大台图形；(5)刻蚀晶片；(6)将刻蚀之后的晶片使用离子体进行轰击，将光刻胶的大台图形轰击为小台图形；(7)腐蚀掉小台图形外的透明导电膜；(8)去除光刻胶；(9)在晶片表面生长SiO2钝化层；(10)在生长了钝化层的晶片上甩负性光刻胶，通过曝光、显影和腐蚀光刻出电极图形，其中腐蚀步骤中将钝化层和电流阻挡层一起腐蚀。(11)蒸镀电极，蒸镀后通过剥离和清洗完成P电极和N电极的蒸镀。