[发明专利]带冗余单元的存储器芯片的晶圆测试方法有效
| 申请号： | 201710116685.X | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN107039084B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 朱渊源 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带冗余单元的存储器芯片的晶圆测试方法，包括步骤：步骤一、根据晶圆上存储器芯片的主区域的阵列结构和冗余单元的结构设置存储器测试机中的存储失效地址的存储器的行地址和列地址的长度；步骤二、对芯片单元进行测试，并将每一行的测试结果进行或运算后存储到行地址相同的存储失效地址的存储器中；步骤三、读取存储失效地址的存储器中的各行的内容得出失效的行数以及行地址；步骤四、判断存储器芯片的主区域的各失效的行能否修复，如能则分配冗余单元替换存储器芯片的主区域的失效行。本发明能有效减少测试时间，降低测试成本。 | ||
| 搜索关键词： | 冗余 单元 存储器 芯片 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种带冗余单元的存储器芯片的晶圆测试方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、根据晶圆上存储器芯片的主区域的阵列结构和冗余单元的结构设置存储器测试机中的存储失效地址的存储器的行地址和列地址的长度，所述存储器芯片的主区域的阵列结构为M行N列的结构，M和N都为整数；所述冗余单元为1行N列的结构，所述存储失效地址的存储器的行地址的长度为M，列地址的长度为1；步骤二、采用所述存储器测试机对所述存储器芯片的主区域的各芯片单元进行测试，并将每一行的测试结果进行或运算后存储到行地址相同的所述存储失效地址的存储器中；步骤三、读取所述存储失效地址的存储器中的各行的内容得出失效的行数以及行地址；步骤四、判断所述存储器芯片的主区域的各失效的行能否修复，如能则分配所述冗余单元替换所述存储器芯片的主区域的失效行。
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