[发明专利]紫外LED芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201710117166.5 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN106947254A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 齐胜利;沈春生;李玉荣 | 申请（专利权）人： | 盐城东紫光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C08L83/04 | 分类号： | C08L83/04;C08L81/06;C08K13/04;C08K3/34;C08K7/24;C08K5/14;C08K3/32;C08K3/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江阴大田知识产权代理事务所(普通合伙)32247 | 代理人： | 陈建中 |
| 地址： | 224000 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外LED芯片的制备方法，包括如下步骤1）制备Si锭；2）将Si锭切割成多个Si衬底；3）将Si衬底抛光；4）在Si衬底上制备GaN外延；5）将Si衬底从GaN外延底面剥离；6）在GaN外延顶面制备电极；7）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片。本发明紫外LED芯片的制备方法，采用经过特殊优化的基底，基底的导热性能好，能提高紫外LED的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）制备Si锭；2）将Si锭切割成多个Si衬底；3）将Si衬底抛光；4）在Si衬底上制备GaN外延；5）将Si衬底从GaN外延底面剥离；6）在GaN外延顶面制备电极；7）将GaN外延底面固定于基底上，制得紫外LED芯片；按重量份计，所述基底由以下组分组成：35～41份环氧改性有机硅树脂，12～22份聚砜树脂，2～3份白石墨，1～2份磷酸二氢钙，3～4份滑石粉，6～8份过氧化二异丙苯，7～9份卵磷脂，1～4份碳纳米管，5～8份聚甘油单硬脂酸酯，2～4份钼酸钠，1～3份三聚磷酸二氢铝，2～4份四硼酸钾，8～9份六偏磷酸钠，4～6份烷基硫酸酯钠。
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