[发明专利]一种前驱体分子耦合控制方法在审
| 申请号： | 201710117532.7 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN107083529A | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 黄心言;孔惠慧 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/12 | 分类号： | C23C14/12;C23C14/58;C07D307/77;C07D493/06 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙)32273 | 代理人： | 张学彪 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种前驱体分子耦合控制方法，包括前驱体分子C‑C耦合控制方法或前驱体分子C‑H耦合控制方法。本发明的前驱体分子耦合控制方法实现了脱卤过后基底控制的C‑C或C‑H耦合，可以将表面反应通过合理设计前驱体分子和合理选择基底表面来精确合成小的有机分子，并且能够有效促进合成纯的分子单体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 前驱 分子 耦合 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种前驱体分子耦合控制方法，其特征在于：包括前驱体分子C‑C耦合控制方法或前驱体分子C‑H耦合控制方法，所述前驱体分子C‑C耦合控制方法包括以下步骤：1)、室温下将前驱体分子沉积到Au(111)表面，得到带前驱体分子的Au基底；2)、将步骤1)得到的带前驱体分子的Au基底加热至300K‑500K进行退火处理，得到退火Au基底；3)、通过扫描隧道显微镜对步骤2)得到的退火Au基底进行观测，在Au(111)表面上前驱体分子形成C‑C耦合，得到聚合物链；所述前驱体分子C‑H耦合控制方法包括以下步骤：一、室温下将前驱体分子沉积到Ag(111)表面，得到带前驱体分子的Ag基底；二、将步骤一得到的带前驱体分子的Ag基底加热至300K‑500K进行退火处理，得到退火Ag基底；三、通过扫描隧道显微镜对步骤二得到的退火Ag基底进行观测，在Ag(111)表面上前驱体分子形成C‑H耦合，得到有机分子单体。
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