[发明专利]在半导体衬底上的稀土金属表面活化等离子体掺杂在审
| 申请号： | 201710119620.0 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN107154350A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 金润相;雷扎·阿哈瓦尼 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 樊英如,张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及在半导体衬底上的稀土金属表面活化等离子体掺杂。本发明提供了使用沉积含稀土金属膜(例如含钇膜)来掺杂半导体衬底的方法和退火技术。使用气体、液体或固体前体在没有偏置的情况下沉积含稀土金属的膜，并且可以保形地沉积。一些实施方式可以涉及使用等离子体的沉积。衬底可在小于约500℃的温度下退火。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 稀土 金属表面 活化 等离子体 掺杂 | ||
【主权项】：
一种处理容纳在等离子体室中的衬底的方法，所述方法包括：将稀土金属源引入所述处理室；在所述衬底上的半导体材料之上沉积保形的含稀土金属的膜；和在小于500℃的温度下对所述衬底退火，以在所述衬底的表面上形成稀土金属掺杂的非硅化物半导体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
