[发明专利]一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法有效

专利信息
申请号: 201710120161.8 申请日: 2017-03-02
公开(公告)号: CN106910674B 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 刘丹;孙国胜;孔令沂;张新河;韩景瑞;李锡光;萧黎鑫 申请(专利权)人: 东莞市天域半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/311
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人: 罗晓聪
地址: 523000 广东省东莞市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法,其包括以下步骤:a、将SiC外延晶片置于加热的由硫酸与双氧水混合形成的混合洗液中浸泡;b、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,然后置于丙酮中超声波清洗;c、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,然后置于加热的由氨水、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡;d、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,然后置于加热的由盐酸、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡;e、依次用臭氧水、氨水、高纯氮加去离子水分别冲洗SiC外延晶片表面;f、依次用臭氧水、氢氟酸溶液、臭氧水分别冲洗SiC外延晶片表面;g、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,高速旋转甩干。
搜索关键词: 一种 去除 sic 外延 晶片 金属 污染 残留 清洗 方法
【主权项】:
1.一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法,其特征在于:该清洗方法包括以下步骤:a、将SiC外延晶片置于加热的由硫酸与双氧水混合形成的混合洗液中浸泡;b、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,然后置于丙酮中超声波清洗;c、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,然后置于加热的由氨水、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡;d、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,然后置于加热的由盐酸、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡;e、依次用臭氧水、氨水、高纯氮加去离子水分别冲洗SiC外延晶片表面;f、依次用臭氧水、氢氟酸溶液、臭氧水分别冲洗SiC外延晶片表面;g、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,高速旋转甩干。
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