[发明专利]一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法有效
申请号: | 201710120161.8 | 申请日: | 2017-03-02 |
公开(公告)号: | CN106910674B | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 刘丹;孙国胜;孔令沂;张新河;韩景瑞;李锡光;萧黎鑫 | 申请(专利权)人: | 东莞市天域半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/311 |
代理公司: | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人: | 罗晓聪 |
地址: | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法,其包括以下步骤:a、将SiC外延晶片置于加热的由硫酸与双氧水混合形成的混合洗液中浸泡;b、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,然后置于丙酮中超声波清洗;c、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,然后置于加热的由氨水、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡;d、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,然后置于加热的由盐酸、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡;e、依次用臭氧水、氨水、高纯氮加去离子水分别冲洗SiC外延晶片表面;f、依次用臭氧水、氢氟酸溶液、臭氧水分别冲洗SiC外延晶片表面;g、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,高速旋转甩干。 | ||
搜索关键词: | 一种 去除 sic 外延 晶片 金属 污染 残留 清洗 方法 | ||
【主权项】:
1.一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法,其特征在于:该清洗方法包括以下步骤:a、将SiC外延晶片置于加热的由硫酸与双氧水混合形成的混合洗液中浸泡;b、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,然后置于丙酮中超声波清洗;c、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,然后置于加热的由氨水、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡;d、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,然后置于加热的由盐酸、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡;e、依次用臭氧水、氨水、高纯氮加去离子水分别冲洗SiC外延晶片表面;f、依次用臭氧水、氢氟酸溶液、臭氧水分别冲洗SiC外延晶片表面;g、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面,高速旋转甩干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市天域半导体科技有限公司,未经东莞市天域半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710120161.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造