[发明专利]终点检测的蚀刻计量灵敏度有效
申请号: | 201710121052.8 | 申请日: | 2017-03-02 |
公开(公告)号: | CN107403736B | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 安德鲁·D·贝利三世;穆罕默德·德里亚·特泰克;邓肯·W·米尔斯 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;G06F17/18;G06N3/02 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及终点检测的蚀刻计量灵敏度。监控在蚀刻工艺期间在衬底上产生的一个或多个特征的几何参数值可以涉及:(a)测量由光能与所述衬底上正被蚀刻的特征相互作用而产生的光信号;(b)提供测得的光信号的子集,其中所述子集由使得光信号被确定为与特征的目标几何参数的值相关联的范围来定义;(c)将光信号的子集应用于被配置为根据测得的光信号预测所述目标几何参数值的模型;(d)从模型确定正被蚀刻的所述特征的所述目标几何参数的当前值;(e)将正被蚀刻的所述特征的所述目标几何参数的当前值与所述目标几何参数的蚀刻工艺终点值进行比较;以及(f)重复(a)‑(e),直到(e)中的比较指明正被蚀刻的所述特征的所述目标几何参数的所述当前值已经达到终点值。 | ||
搜索关键词: | 终点 检测 蚀刻 计量 灵敏度 | ||
【主权项】:
1.一种产生计算模型的方法,所述计算模型将由光能与在衬底上蚀刻的特征相互作用而产生的测得的光信号与在所述衬底上蚀刻的所述特征的目标几何参数的值相关联,所述方法包括:确定用于所述计算模型的所述测得的光信号的范围,其中确定所述范围包括:识别由于非目标几何参数的值的变化而在所述范围内的所述测得的光信号的第一变化,识别由于所述目标几何参数的值的变化而在所述范围内的所测得的光信号的第二变化,并且确定所述第二变化大于所述第一变化;提供具有有在所述范围内的所述光信号的值的成员的训练集,其中所述训练集中的每个成员包括:(i)在所述衬底中蚀刻的所述特征的所述目标几何参数的值,以及(ii)从蚀刻的特征产生的具有在所述衬底中蚀刻的所述特征的所述目标几何参数的所述值的相关联的光信号;以及从所述训练集产生所述计算模型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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