[发明专利]一种离子注入或注入且沉积系统有效
| 申请号： | 201710121676.X | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN106868467B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李刘合;谷佳宾;许亿 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京修典盛世知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11424 | 代理人： | 杨方成;吴俊 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种离子注入或注入且沉积系统，包括：注入或注入且沉积工作室，其内部在处理工件时处于真空状态；阴极靶台，将待处理的工件支撑于所述注入或注入且沉积工作室内；粒子馈送源，用于给所述注入或注入且沉积工作室供应粒子；粒子馈送管道，与粒子馈送源连接，用于将粒子送向所述注入或注入且沉积工作室；等离子体增强放电装置，其为内壁与电子碰撞能发出二次电子的绝缘管，一端连接所述粒子馈送管道，另一端连接所述注入或注入且沉积工作室，使粒子能通过该绝缘管从所述粒子馈送管道进入所述注入或注入且沉积工作室。本发明可以有效提高粒子离化率，提高注入或注入且沉积的质量和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 沉积 系统 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入或注入且沉积系统，包括：注入或注入且沉积工作室，该注入或注入且沉积工作室的内部在处理工件时处于真空状态；阴极靶台，将待处理的工件支撑于所述注入或注入且沉积工作室内；粒子馈送源，用于给所述注入或注入且沉积工作室供应粒子；粒子馈送管道，与所述粒子馈送源连接，用于将粒子送向所述注入或注入且沉积工作室；等离子体增强放电装置，该等离子体增强放电装置为内壁与电子碰撞能发出二次电子的绝缘管，该绝缘管一端连接所述粒子馈送管道，另一端连接所述注入或注入且沉积工作室，使粒子能通过该绝缘管从所述粒子馈送管道进入所述注入或注入且沉积工作室。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学，未经北京航空航天大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710121676.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
