[发明专利]一种低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器

摘要

一种低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器，设有匹配单元、第一放大单元、复用单元、第二放大单元、第一负载单元、第三放大单元、第二负载单元和电容C₄、C₅、C₆。匹配单元采用级联L型输入匹配网络实现50欧姆输入阻抗匹配，射频输入信号通过匹配单元经第一放大单元进行放大，放大后的信号电压通过复用单元到实现电流复用的第二放大单元进行第二次放大并送至第一负载单元，第二次放大后的信号电压还通过电容C₄、C₅送至采用多栅晶体管并联技术的第三放大单元进行第三次放大并送至负载单元并通过电容C₆输出射频输出信号。

主权项

1.一种低功耗高增益高线性度宽带低噪声放大器，其特征在于：包括匹配单元、第一、第二、第三三个放大单元、复用单元、第一、第二两个负载单元以及电容C4、电容C5和电容C6，射频输入信号RFin连接匹配单元，匹配单元的输出连接第一放大单元，第一放大单元通过复用单元与第二放大单元连接，第二放大单元的输出连接第一负载单元，同时，第二放大单元的输出还通过电容C4和电容C5连接第三放大单元，第三放大单元的输出连接第二负载单元，第三放大单元的输出端也是低噪声放大器的输出端，通过电容C6输出射频输出信号RFout；其中：匹配单元包括电容C1、电感L1和电感L2，电容C1的一端连接射频输入信号RFin，电容C1的另一端连接电感L1与电感L2的串联端，电感L1的另一端接地；第一放大单元包括NMOS管M1和电阻R1，NMOS管M1的栅极连接偏置电压VG1，NMOS管M1的源极连接匹配单元中电感L2的另一端，NMOS管M1的衬底串联电阻R1后接地；复用单元包括电容C2和电感L3，电容C2的一端与电感L3的一端以及第一放大单元中NMOS管M1的漏极连接在一起；第二放大单元包括NMOS管M2、NMOS管M3和电容C3，NMOS管M2的栅极分别连接复用单元中电容C2的另一端和偏置电压VG2，NMOS管M2的源极分别连接复用单元中电感L3的另一端和电容C3的一端，电容C3的另一端连接NMOS管M2的衬底并接地，NMOS管M2的漏极连接NMOS管M3的源级，NMOS管M3的栅极连接偏置电压VG3，NMOS管M3的衬底接地；第一负载单元包括电感L4，电感L4的一端与第二放大单元中NMOS管M3的漏极、电容C4的一端以及电容C5的一端连接在一起，电感L4的另一端连接电源VDD；第三放大单元包括NMOS管M4、NMOS管M5和NMOS管M6，NMOS管M4的栅极分别连接电容C4的另一端和偏置电压VG4，NMOS管M4的源极和衬底均接地，NMOS管M4的漏极分别连接NMOS管M5的漏极和NMOS管M6的源级，NMOS管M5的栅极分别连接电容C5的另一端和偏置电压VG5，NMOS管M5的源极和衬底均接地，NMOS管M6的栅极连接电源VDD，NMOS管M6的衬底接地；第二负载单元包括电感L5和电阻R2，电感L5的一端分别连接电阻R2的一端和第三放大单元中NMOS管M6的漏极并通过电容C6输出射频输出信号RFout，电感L5另一端与电阻R2的另一端以及电源VDD连接在一起。