[发明专利]基于三维印录存储器的可编程门阵列在审
| 申请号： | 201710122783.4 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN108540127A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 成都海存艾匹科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/177 | 分类号： | H03K19/177 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 为了弥补传统门阵列只能实现逻辑编程的缺陷，本发明提出一种基于三维印录存储器（3D‑P）的可编程门阵列。它含有多个可编程计算单元，每个可编程计算单元含有多个3D‑P阵列，每个3D‑P阵列存储一种基本复杂计算的查找表（LUT）。每个计算单元还含有一个可编程连接，用于在多个LUT中选择所需基本复杂计算的LUT，从而实现复杂计算的编程，即同一硬件在设置信号控制下可以选择性地实现不同的复杂计算功能。 | ||
| 搜索关键词： | 复杂计算 计算单元 可编程门阵列 存储器 可编程 三维 可编程连接 逻辑编程 设置信号 同一硬件 阵列存储 查找表 门阵列 编程 | ||
【主权项】：
1.一种可编程门阵列，其特征在于含有多个可编程计算单元，每个可编程计算单元含有：第一和第二存储阵列，该第一存储阵列存储一第一函数的查找表（LUT），该第二存储阵列存储一第二函数LUT，所述第一和第二函数为不同函数，该第一和第二存储阵列中的LUT是在生产过程中通过非电编程的形式录入的；第一可编程连接，该可编程连接将该可编程计算单元的一输入选择性地与该第一或第二存储阵列电耦合：当与该第一存储阵列电耦合时，该可编程计算单元实现该第一函数；当与该第二存储阵列电耦合时，该可编程计算单元实现该第二函数。
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