[发明专利]利于吸收太阳光的P型PERC双面太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201710123845.3 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN106898660B | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 林纲正;方结彬;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 高文龙 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种利于吸收太阳光的P型PERC双面太阳能电池及其制备方法,该太阳能电池包括自下而上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极,所述P型硅的正面开设有相互平行的若干凹槽,凹槽外露于正面氮化硅膜,所述凹槽的长度方向与正银主栅电极相平行,凹槽的内槽面为绒面,所述绒面能够接受不同方向入射的太阳光,并通过凹槽内部的多次反射和入射,将太阳光捕获。该太阳能电池通过在电池硅片正面刻蚀若干凹槽,捕获更多的太阳光,提高对太阳光的吸收率,从而能够提高双面电池固定支架光伏系统和双面电池单轴跟踪光伏系统的发电量。本发明同时公开了该太阳能电池的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 利于 吸收 太阳光 perc 双面 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.利于吸收太阳光的P型PERC双面太阳能电池,包括自下而上依次设置的背电极、背面氮化硅膜、背面氧化铝膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正银电极,所述P型硅为电池的硅片,N型硅为在硅片正面扩散形成的N型发射极,所述的正银电极由材料为银的正银主栅电极和材料为银的正银副栅电极组成,正银副栅电极与正银主栅电极相垂直,所述的背电极由材料为银的背银主栅电极和材料为铝的背铝副栅电极组成,背铝副栅电极和背银主栅电极相垂直,所述太阳能电池在背面还开设有开通所述背面氮化硅膜、背面氧化铝膜后直至P型硅的激光开槽区,激光开槽区内印刷灌注铝浆料,形成背铝条,背铝副栅电极与激光开槽区内的背铝条一体印刷成型,背铝副栅电极通过背铝条与P型硅相连,其特征在于:所述P型硅的正面开设有相互平行的若干凹槽,凹槽外露于正面氮化硅膜,所述凹槽的长度方向与正银主栅电极相平行,凹槽的内槽面为绒面,所述绒面能够接受不同方向入射的太阳光,并通过凹槽内部的多次反射和入射,将太阳光捕获。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江爱旭太阳能科技有限公司,未经浙江爱旭太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710123845.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双玻太阳能电池组件及系统
- 下一篇:一种p-i-n型硒化锑太阳电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的