[发明专利]OLED显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201710124008.2 | 申请日: | 2017-03-03 |
公开(公告)号: | CN106876331B | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 杨杰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人: | 孙伟峰;黄进<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种OLED显示面板,包括TFT阵列基板以及阵列设置在该TFT阵列基板上的多个阳极,所述TFT阵列基板上覆设有像素定义层,所述像素定义层包括暴露出所述阳极的开口部和用于间隔相邻两个所述阳极的间隔部,所述间隔部中设置有上部开口的凹槽,每一所述开口部对应于一个子像素区域;其中,所述像素定义层上依次设置有第一公共层、第二公共层和阴极层,所述第一公共层和所述第二公共层之间对应于每一子像素区域分别设置有一发光材料单元;所述第一公共层、第二公共层和阴极层在对应于所述凹槽的位置分别具有间隙。本发明还公开了如上所述OLED显示面板的制备方法以及包含该OLED显示面板的显示装置。 | ||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种OLED显示面板,包括TFT阵列基板以及阵列设置在该TFT阵列基板上的多个阳极,其特征在于,所述TFT阵列基板上覆设有像素定义层,所述像素定义层包括暴露出所述阳极的开口部和用于间隔相邻两个所述阳极的间隔部,所述间隔部中设置有上部开口的凹槽,每一所述开口部对应于一个子像素区域;其中,/n所述像素定义层上依次设置有第一公共层、第二公共层和阴极层,所述第一公共层和所述第二公共层之间对应于每一子像素区域分别设置有一发光材料单元;/n所述第一公共层、第二公共层和阴极层在对应于所述凹槽的位置分别具有间隙,以使所述第一公共层、第二公共层和阴极层在相邻的两个子像素区域之间被隔断,所述凹槽的截面为梯形,所述凹槽的上部开口的宽度小于底面的宽度。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710124008.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造