[发明专利]通用处理套件有效
| 申请号： | 201710124363.X | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107154335B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | O·茹贝尔;J·A·肯尼;S·斯利尼瓦萨恩;J·罗杰斯;R·丁德萨;V·S·阿楚沙拉曼;O·鲁赫尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文所述实施方式一般涉及适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，与常规处理套件相比，所述处理套件用单个边缘环减小边缘效应并加宽处理窗口。所述处理套件一般包括设置为邻近于并且围绕在等离子体腔室中的半导体基板周边的边缘环。所述基板和所述边缘环之间的间隙的尺寸小于约1000μm，并且所述基板和所述边缘环之间的高度差小于约(+/‑)300μm。所述环的电阻率小于约50Ohm‑cm。 | ||
| 搜索关键词： | 通用 处理 套件 | ||
【主权项】：
一种适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，所述处理套件包括：边缘环，所述边缘环包括：内环，所述内环包括：非金属导电体，所述非金属导电体具有与第二表面相对的第一表面，所述非金属导电体具有小于50Ohm‑cm的电阻率，其中所述内环包括沿所述内环的内径设置的凹口，其中所述凹口具有上升小于1200μm的垂直分量和在1300μm与2500μm之间延伸的水平分量；和外环，所述外环耦接到所述内环并环绕所述内环的周边，所述外环包括：石英主体，所述石英主体具有与第四表面相对的第三表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710124363.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：减小朝向高频RF产生器反射的功率的系统和方法
- 下一篇：离子束质量预分离器
