[发明专利]氮化硅及其制备方法有效
| 申请号： | 201710125144.3 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN108529576B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 朱青松;何文 | 申请（专利权）人： | 苏州协鑫能源技术发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化硅及其制备方法。上述氮化硅的制备方法包括以下步骤：采用氮气对硅颗粒进行气雾化处理，得到气雾化后的硅粉；连续将等离子体状态下的氮气和气雾化后的硅粉送入反应器，并保持反应器温度为1300℃～1450℃，之后进行固气分离并保留固体；以及向固体中添加α相氮化硅、氟化铵和碘化铵，混匀之后抽真空，之后通入氮气和氢气的混合气体直至压力升至表压0.005MPa～0.05MPa，之后升温至1200℃～1250℃，并持续通入氮气和氢气的混合气体直至压力升至表压0.01MPa～0.1MPa，维持反应时间为5小时～10小时，反应完全之后冷却，得到氮化硅。本发明的氮化硅的制备方法为复合合成法，采用本发明的上述氮化硅的制备方法能够得到高α相氮化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用氮气对硅颗粒进行气雾化处理，得到气雾化后的硅粉；连续将等离子体状态下的氮气和气雾化后的硅粉送入反应器，并保持反应器温度为1300℃～1450℃，之后进行固气分离并保留固体；以及向所述固体中添加α相氮化硅、氟化铵和碘化铵，混匀之后抽真空，之后通入氮气和氢气的混合气体直至压力升至表压0.005MPa～0.05MPa，之后升温至1200℃～1250℃，并持续通入所述氮气和氢气的混合气体直至压力升至表压0.01MPa～0.1MPa，维持反应时间为5小时～10小时，反应完全之后冷却，得到氮化硅。
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