[发明专利]具有金属模铸体的封装的功率半导体装置有效
| 申请号： | 201710126235.9 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107180823B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·施莱歇 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/492;H01L23/46;H01L23/467;H01L23/367 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 戚传江;金洁 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有金属模铸体的封装的功率半导体装置，其中，从金属模铸体的第一和第二主表面开始，分别形成第一和第二凹陷，第一和第二功率半导体元件分别设置在第一和第二凹陷中，第一功率半导体元件的第一接触表面以导电方式连接到基底；第二功率半导体元件的第一接触表面以导电方式连接到基底。在两个主表面上设置各自的绝缘材料层，填充并完全覆盖至少各自的凹陷，其中第一和第二绝缘层分别具有导电的第一和第二通路，第一通路以导电方式将第一功率半导体元件的第二接触表面连接到设置在第一绝缘层上的第一导电表面，第二通路以导电方式将第二功率半导体元件的第二接触表面连接到设置在第二绝缘层上的第二导电表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 模铸体 封装 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种具有形成第一连接导体的金属模铸体(2)的封装的功率半导体装置(1)，其中，从所述金属模铸体(2)的第一主表面(20)开始，形成具有第一基底(220)的第一凹陷(22)，第一功率半导体元件(30)被设置在所述第一凹陷(22)中，其中所述第一功率半导体元件(30)面向所述第一基底(220)的第一接触表面(300)以导电方式连接到所述基底(220)，其中，从所述金属模铸体(2)的第二主表面(24)开始，形成具有第二基底(260)的第二凹陷(26)，第二功率半导体元件(32)被设置在所述第二凹陷(26)中，其中所述第二功率半导体元件(32)与所述第二基底(260)相关的第一接触表面(320)以导电方式连接到所述基底(260)，其中，在两个主表面(20，24)上设置各自的绝缘材料层(40，42)，填充并完全覆盖至少各自的凹陷(22，26)，其中，所述第一绝缘层(40)具有导电的第一通路(50)，其以导电方式将所述第一功率半导体元件(30)的第二接触表面(302)连接到设置在所述第一绝缘层(40)上的第一导电表面(60)，且其中所述第二绝缘层(42)具有导电的第二通路(52)，其以导电方式将所述第二功率半导体元件的第二接触表面连接到设置在所述第二绝缘层上的第二导电表面。
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