[发明专利]一种电极结构、QLED及制备方法有效
| 申请号： | 201710127261.3 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN108539036B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 张滔;向超宇;李乐;辛征航;张东华 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种电极结构、QLED及制备方法，所述电极结构包括基底、位于基底表面上的具有多个凹槽的透明电极、填充于凹槽内的掺杂氧化物以及沉积于透明电极表面的氧化镍薄膜或氧化锰薄膜。本发明的电极结构，在具有凹槽的透明电极上引入掺杂氧化物来填平凹槽，并在透明电极上再沉积一层氧化镍薄膜或氧化锰薄膜，氧化镍薄膜或氧化锰薄膜的引入能够有效约束从发光层发出来的光，并且更大程度地将光导入透明电极的凹槽中，利用凹槽改变光从透明电极到玻璃界面的出光角度，减少全反射几率，从而提高器件的出光效率。本发明能降低透明电极与发光功能层的势垒，提高器件的空穴注入效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 结构 qled 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可提高出光效率的电极结构，其特征在于，包括基底、位于基底表面上的具有多个凹槽的透明电极、填充于凹槽内的掺杂氧化物以及沉积于透明电极表面的氧化镍薄膜或氧化锰薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL科技集团股份有限公司，未经TCL科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710127261.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示设备
- 下一篇：一种OELD显示器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
