[发明专利]具有漂移沟道的紫外雪崩光电二极管探测器及其探测方法

摘要

本发明公开了具有漂移沟道的紫外雪崩光电二极管探测器，该探测器的每个器件单元从上至下依次包括CE电极、SiO2层、N‑CHANNEL、P‑well或N‑well、衬底和背面电极；CE电极嵌入在SiO2层的中心；P‑well或N‑well由对称设置在器件单元左右两侧的两部分构成；N‑CHANNEL设在SiO2层下方，两部分P‑well或N‑well的上方；N‑CHANNEL的上部中心设置有点状雪崩二极管，点状雪崩二极管与CE电极电连通；SiO2层上由内到外依次设置有内漂移环、外漂移环和接地GND，接地GND与P‑well或N‑well电连通。本申请的探测器在雪崩倍增高场区域比较小的同时保证大面积的光探测区域，提高了量子效率；减小雪崩区域的面积，有助于减小暗电流和暗激发，同时对于晶片质量和缺陷的容忍度提高，防止了大面积雪崩倍增高场区在缺陷位置的提前击穿。

主权项

具有漂移沟道的紫外雪崩光电二极管探测器，其特征在于，所述探测器的每个器件单元从上至下依次包括CE电极、SiO2层、N‑CHANNEL、P‑well或N‑well、衬底和背面电极；其中，所述CE电极嵌入在所述SiO2层的中心；所述P‑well或N‑well由对称设置在所述器件单元左右两侧的两部分构成；所述N‑CHANNEL设在SiO2层下方，两部分P‑well或N‑well的上方；N‑CHANNEL的上部中心设置有点状雪崩二极管，所述点状雪崩二极管与所述CE电极电连通；所述SiO2层上由内到外依次设置有内漂移环、外漂移环和接地GND，所述接地GND与P‑well或N‑well电连通。