[发明专利]n‑型Cu4In9Se16基中高温热电半导体及其合成工艺在审
| 申请号： | 201710128622.6 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN106997919A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 崔教林 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34;C01G15/00 |
| 代理公司： | 宁波奥凯专利事务所(普通合伙)33227 | 代理人： | 潘杰,白洪长 |
| 地址： | 315016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种n‑型Cu4In9Se16基中高温热电半导体及其合成工艺，该中高温热点半导体是Cu4In9Se16合金中采用摩尔分数为0.069的O替换等量的Se元素，构成四元热电半导体，化学式为Cu4In9Se14O2；合成工艺为根据化学式称量相应量的Cu、In、Se三种元素和In2O3化合物，在1150～1250℃下真空熔炼168小时。熔炼结束后在液氮中急冷，然后取出铸锭粉碎，球磨5小时，而后经放电等离子火花烧结成形，烧结温度为650～750℃，烧结压力为55～65Mpa，在955K和523K各保温10秒，制备得到Cu4In9Se14O2热电半导体，其具有无污染，无噪音，应用于中高温发电元器件的制作，运行可靠，寿命长，制备工艺简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | cu4in9se16 高温 热电 半导体 及其 合成 工艺 | ||
【主权项】：
一种n‑型Cu4In9Se16基中高温热电半导体，其特征在于在Cu4In9Se16半导体中采用摩尔分数为0.069的O元素等摩尔替换Se元素，构成四元热电半导体，该四元热电半导体的化学式为Cu4In9Se14O2。
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