[发明专利]NAND闪存的读操作处理方法、装置和NAND存储设备有效
申请号: | 201710128834.4 | 申请日: | 2017-03-06 |
公开(公告)号: | CN108538333B | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 张现聚;苏志强;李建新 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/30 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种NAND闪存的读操作处理方法、装置和NAND存储设备。其中,所述方法应用于NAND存储设备,所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元,每条字线分别与对应的存储器单元连接,所述方法包括:确定待读取的存储器单元;为与所述待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加第一电压,其中,第一电压为经滤波器滤波后的电压;为所述待读取的存储器单元对应的字线加第二电压,其中,第一电压大于第二电压。本发明实施例通过为与待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加经滤波器滤波后的电压,通过滤波器减小该相邻的两条字线上电压的波动,从而减小待读取的存储器单元对应的字线上电压的波动,以提高读操作的准确性。 | ||
搜索关键词: | nand 闪存 操作 处理 方法 装置 存储 设备 | ||
【主权项】:
1.一种NAND闪存的读操作处理方法,应用于NAND存储设备,所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元,每条字线分别与对应的存储器单元连接,其特征在于,所述方法包括:确定待读取的存储器单元;为与所述待读取的存储器单元对应的字线相邻的两条字线加第一电压,其中,第一电压为经滤波器滤波后的电压;为所述待读取的存储器单元对应的字线加第二电压,其中,第一电压大于第二电压。
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