[发明专利]半导体器件

摘要

本公开涉及一种半导体器件，其中，当输出高幅度的信号时，可以施加超过耐受电压的漏极‑源极电压。根据本发明的半导体器件包括电平位移电路，其根据低幅度逻辑信号的输入来输出高幅度。电平位移电路包括串联耦合电路、耦合至第一电源的第一栅极控制电路、耦合至电位高于第一电源的电位的第二电源的第二栅极控制电路以及布置在第一栅极控制电路与串联耦合电路之间的电位转换电路。电位转换电路向串联耦合电路的N沟道MOS晶体管的栅极提供第一电平电位，其低于第一电源的电位且高于参考电源的电位。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括电平位移电路以根据低幅度逻辑信号的输入来输出高幅度信号，其中所述电平位移电路包括：串联耦合电路；电位生成电路；第一栅极控制电路，耦合至第一电源；第二栅极控制电路，耦合至电位高于所述第一电源的电位的第二电源；和第一电位转换电路，布置在所述第一栅极控制电路和所述串联耦合电路之间，其中所述串联耦合电路包括：第一P沟道MOS晶体管，其源极耦合至所述第二电源；第二P沟道MOS晶体管，其源极耦合至所述第一P沟道MOS晶体管的漏极；第一N沟道MOS晶体管，其源极耦合至参考电源；第二N沟道MOS晶体管，其源极耦合至所述第一N沟道MOS晶体管的漏极；和第一输出节点，所述第二P沟道MOS晶体管的漏极和所述第二N沟道MOS晶体管的漏极被耦合至所述第一输出节点，其中所述电位生成电路生成第一电位、第二电位和第三电位，所述第一电位低于所述第二电源的电位且高于所述参考电源的电位并且被施加给所述第二P沟道MOS晶体管的栅极，所述第二电位低于所述第二电源的电位且高于所述参考电源的电位并且被施加给所述第二N沟道MOS晶体管的栅极，所述第三电位低于所述第二电源的电位且高于所述参考电源的电位，其中所述第一栅极控制电路生成第一信号，所述第一信号具有所述参考电源的电位与所述第一电源的电位之间的幅度并且控制所述第一N沟道MOS晶体管的栅极，其中所述第二栅极控制电路生成第二信号，所述第二信号具有所述第一电位与所述第二电源的电位之间的幅度并且控制所述第一P沟道MOS晶体管的栅极，以及其中所述第一电位转换电路向所述第一N沟道MOS晶体管的栅极提供第一电平电位，所述第一电平电位低于所述第一信号的高电平且高于所述参考电源的电位。