[发明专利]石墨烯层的形成方法在审
| 申请号： | 201710130750.4 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN107797378A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 涂志强;陈俊郎;蔡嘉雄;游秋山;张宗裕;林志诚;刘丙寅;李信昌;林云跃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种石墨烯层的形成方法包括在第一衬底之上沉积第一材料层；以及在所述第一材料层之上沉积石墨烯层。所述方法还包括在所述石墨烯层之上沉积非晶硅层；以及将所述非晶硅层结合至第二衬底，从而形成组件。所述方法还包括使所述组件退火，从而将所述非晶硅层转变成氧化硅层。所述石墨烯层的形成方法还包括自所述组件移除所述第一衬底；以及自所述组件移除所述第一材料层，从而暴露出所述石墨烯层。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯层的形成方法，其特征在于，包括：在第一衬底之上沉积第一材料层；在所述第一材料层之上沉积石墨烯层；在所述石墨烯层之上沉积非晶硅层；将所述非晶硅层结合至第二衬底，从而形成组件；使所述组件退火，从而将所述非晶硅层转变成氧化硅层；自所述组件移除所述第一衬底；以及自所述组件移除所述第一材料层，从而暴露出所述石墨烯层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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