[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710131007.0 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108573910B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532;H01L23/535;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底；在所述基底上形成栅极结构；形成位于所述栅极结构两侧基底内的源漏掺杂区；在所述栅极结构露出的基底上形成介质层，所述介质层覆盖所述源漏掺杂区；形成贯穿所述介质层的接触孔，所述接触孔底部露出所述源漏掺杂区；在所述接触孔露出的源漏掺杂区上形成氧化金属层；在形成有氧化金属层的接触孔内形成插塞。本发明技术方案能够有效的抑制插塞与源漏掺杂区界面处费米能级钉扎的现象，从而有利于降低所述插塞和所述源漏掺杂区之间的接触电阻，有利于提高所形成半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底；在所述基底上形成栅极结构；形成位于所述栅极结构两侧基底内的源漏掺杂区；在所述栅极结构露出的基底上形成介质层，所述介质层覆盖所述源漏掺杂区；形成贯穿所述介质层的接触孔，所述接触孔底部露出所述源漏掺杂区；在所述接触孔露出的源漏掺杂区上形成氧化金属层；在形成有氧化金属层的接触孔内形成插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
