[发明专利]集成电路装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710131027.8 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN107871747B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 中岛绅伍 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路装置及其制造方法。集成电路装置包含：绝缘膜；接触件，其在第一方向上延伸且被提供于所述绝缘膜内；及绝缘部件。所述绝缘部件的组成与所述绝缘膜的组成不同。台面差形成于所述接触件的侧表面中，所述侧表面中除所述台面差外的区域的部分接触所述绝缘膜。所述绝缘部件接触所述台面差。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路装置，其包括：绝缘膜；接触件，其在第一方向上延伸且被提供于所述绝缘膜内，台面差形成于所述接触件的侧表面中，所述侧表面中除所述台面差外的区域的部分接触所述绝缘膜；及绝缘部件，其接触所述台面差，所述绝缘部件的组成与所述绝缘膜的组成不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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