[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
申请号: | 201710131028.2 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN108573862B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 韩秋华 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:基底,基底具有器件结构,器件结构包括初始侧墙结构;在基底、器件结构和初始侧墙结构上形成初始第一介质层;平坦化初始第一介质层,形成第一介质层;去除部分初始侧墙结构形成侧墙结构,侧墙结构顶部表面低于或者齐平于第一介质层顶部表面最低点;形成侧墙结构后,密实化第一介质层形成初始第二介质层,初始第二介质层底部表面低于侧墙结构顶部表面,初始第二介质层密度大于第一介质层密度;形成初始第二介质层后,去除器件结构形成开口结构,在开口结构内和初始第二介质层上形成材料层;平坦化材料层和初始第二介质层直至暴露出侧墙结构顶部表面,形成栅极结构和第二介质层。所述第二介质层隔离性能好。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底上具有器件结构,所述器件结构包括初始侧墙结构;在所述基底、器件结构以及初始侧墙结构的顶部表面形成初始第一介质层;平坦化所述初始第一介质层,直至暴露出初始侧墙结构的顶部表面,形成第一介质层;去除部分初始侧墙结构形成侧墙结构,所述侧墙结构的顶部表面低于或者齐平于所述第一介质层顶部表面的最低点;形成所述侧墙结构之后,对部分所述第一介质层进行密实化处理形成初始第二介质层,所述初始第二介质层的底部表面低于所述侧墙结构的顶部表面,且所述初始第二介质层的密度大于所述第一介质层的密度;形成所述初始第二介质层之后,去除器件结构形成开口结构;在所述开口结构内以及初始第二介质层上形成材料层;平坦化所述材料层以及初始第二介质层直至暴露出侧墙结构的顶部表面,形成栅极结构和第二介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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