[发明专利]避免急遽直流饱和衰减的磁芯及其制备方法在审
| 申请号： | 201710131089.9 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108573795A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 周宗汉 | 申请（专利权）人： | 一诺科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/24 | 分类号： | H01F27/24;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 王玉双;李岩 |
| 地址： | 中国台湾台北市中山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯及其制备方法，该磁芯是一体烧结形成，该磁芯具有一中柱、二侧柱及一底座，每一该侧柱分别与该中柱间隔一距离设置，每一该侧柱均平行于该中柱，该底座连接于该中柱及该二侧柱。其中，该中柱具有一第一导磁率，该二侧柱分别具有一第二导磁率，该第一导磁率小于该第二导磁率，该底座具有一连接该中柱的第一连接部，二分别对应其中一该侧柱的第二连接部，及二分别自该第一连接部延伸而与其中一该第二连接部相连的第一翼部，该第一连接部与每一该第一翼部均具有该第一导磁率，该第二连接部则具有该第二导磁率。 | ||
| 搜索关键词： | 导磁率 侧柱 磁芯 第二连接部 第一连接部 直流饱和 第一翼 衰减 底座 制备 底座连接 距离设置 一体烧结 柱间隔 平行 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种避免急遽直流饱和衰减的磁芯，该磁芯一体烧结成形有一中柱、二侧柱以及一底座，每一该侧柱分别与该中柱间隔一距离设置，每一该侧柱均平行于该中柱，该底座连接于该中柱及该二侧柱，其特征在于：该中柱具有一第一导磁率，该二侧柱分别具有一第二导磁率，该第一导磁率小于该第二导磁率，该底座具有一连接该中柱的第一连接部，二分别对应其中一该侧柱的第二连接部，以及二分别自该第一连接部延伸而与其中一该第二连接部相连的第一翼部，该第一连接部与每一该第一翼部均具有该第一导磁率，该第二连接部则具有该第二导磁率。
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