[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710131189.1 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108573863A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 王彦;张城龙;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括掺杂结构，所述基底上具有介质层，所述介质层中具有器件接触孔，所述器件接触孔暴露出所述掺杂结构；在所述掺杂结构表面形成高掺杂区，所述高掺杂区中具有第一掺杂离子；在所述器件接触孔中形成器件插塞，所述器件插塞与所述高掺杂区形成欧姆接触。高掺杂区的形成不需要使进行非晶化，因此，形成所述高掺杂区的过程不容易损伤所述高掺杂区下方的掺杂结构。 | ||
| 搜索关键词： | 高掺杂区 接触孔 掺杂 基底 半导体结构 介质层 插塞 掺杂离子 结构表面 欧姆接触 非晶化 损伤 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括掺杂结构，所述基底上具有介质层，所述介质层中具有器件接触孔，所述器件接触孔暴露出所述掺杂结构；在所述掺杂结构表面形成高掺杂区，所述高掺杂区中具有第一掺杂离子；在所述器件接触孔中形成器件插塞，所述器件插塞与所述高掺杂区形成欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
