[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底中形成有层间介电层以及贯穿层间介电层的层间互连结构；在基底上形成叠层结构的上层介电层，上层介电层包括等离子体增强氧化硅层；刻蚀上层介电层，形成露出层间互连结构的开口；向开口内填充导电材料，形成与层间互连结构电连接的上层互连结构。相比材料为等离子体增强氧化硅的单层结构的上层介电层，本发明所述叠层结构的上层介电层对相邻层间介电层所产生的应力较小，从而可以降低相邻层间介电层出现经时击穿现象的概率，增大相邻层间介电层击穿电压，降低上层介电层与相邻层间介电层分裂的几率，改善芯片封装交互作用，有利于提高所形成半导体结构的可靠性性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底中形成有层间介电层以及贯穿所述层间介电层的层间互连结构；在所述基底上形成叠层结构的上层介电层，所述上层介电层包括等离子体增强氧化硅层；刻蚀所述上层介电层，形成露出所述层间互连结构的开口；向所述开口内填充导电材料，形成与所述层间互连结构电连接的上层互连结构。