[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201710131890.3 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN106847892B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 张慧;林允植;严允晟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/45;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用以使得有源层与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层通过欧姆接触层连接，从而降低有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，提高薄膜晶体管中有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触效果，进而可以提高薄膜晶体管的工作稳定性。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，包括：源极金属层，在源极金属层之上的第一绝缘层，在第一绝缘层之上的漏极金属层；有源层和欧姆接触层，有源层通过欧姆接触层与源极金属层和漏极金属层相连；欧姆接触层包括第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，第一欧姆接触层包括位于第一绝缘层两侧第一部分区域和第二部分区域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：源极金属层，在所述源极金属层之上的第一绝缘层，在所述第一绝缘层之上的漏极金属层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：有源层和欧姆接触层，所述有源层通过所述欧姆接触层与所述源极金属层和所述漏极金属层相连；其中，所述欧姆接触层包括第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，所述第一欧姆接触层包括位于所述第一绝缘层两侧第一部分区域和第二部分区域。
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