[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201710131906.0 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN106898654B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张慧;林允植;严允晟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用以使得有源层不与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层直接接触，从而降低有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，从而提高垂直型非晶硅薄膜晶体管中有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触效果，进而可以提高薄膜晶体管的工作稳定性。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：源极金属层，位于所述源极金属层之上的第一欧姆接触层，位于所述第一欧姆接触层之上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层之上且与所述第一欧姆接触层接触的有源层，位于所述有源层之上的第二欧姆接触层；位于所述第二欧姆接触层之上的漏极金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包括：源极金属层，位于所述源极金属层之上的第一欧姆接触层，位于所述第一欧姆接触层之上的第一绝缘层，位于所述第一绝缘层之上且与所述第一欧姆接触层接触的有源层，位于所述有源层之上的第二欧姆接触层；位于所述第二欧姆接触层之上的漏极金属层。
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