[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种三维存储器及其制作方法，包括S1、提供一半导体衬底；S2、在半导体衬底一表面上形成存储结构，其中，存储结构包括位于半导体衬底一表面上、且沿竖直方向叠加的多个绝缘层，多个贯穿多个绝缘层的沟道孔及位于沟道孔内的堆叠结构，多个贯穿多个绝缘层的沟槽，覆盖相邻两个绝缘层之间相对表面和相应堆叠结构侧壁的介质层；S3、沉积金属层以覆盖介质层的内壁表面和绝缘层朝向沟槽的侧面；S4、回刻蚀金属层，以形成位于介质层的内壁中的金属栅；S5、重复步骤S3和S4预设次数。本发明提供的技术方案，在制作三维存储器时，多次重复沉积金属层和回刻蚀金属层的步骤，进而提高形成的金属栅的质量。

主权项

一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：S1、提供一半导体衬底；S2、在所述半导体衬底一表面上形成存储结构，其中，所述存储结构包括：位于所述半导体衬底一表面上、且沿竖直方向叠加的多个绝缘层，多个贯穿所述多个绝缘层的沟道孔及位于所述沟道孔内的堆叠结构，多个贯穿所述多个绝缘层的沟槽，以及，覆盖相邻两个所述绝缘层之间相对表面和相应所述堆叠结构侧壁的介质层；S3、沉积金属层以覆盖所述介质层的内壁表面和所述绝缘层朝向所述沟槽的侧面；S4、回刻蚀所述金属层，以形成位于所述介质层的内壁中的金属栅；S5、重复步骤S3和S4预设次数。