[发明专利]预金属化电介质层内支撑的金属屏蔽沟槽和金属衬底触点

摘要

本申请涉及预金属化电介质层内支撑的金属屏蔽沟槽和金属衬底触点。半导体衬底包括：光电二极管区域、电荷储存区域和CDTI结构，电荷储存区域电耦合到光电二极管区域，电容式深沟槽隔离结构包括定位在光电二极管区域与电荷储存区域之间的导电区域。接触蚀刻停止层叠置在半导体衬底上，预金属化电介质层叠置在接触蚀刻停止层上。填充有金属材料的第一沟槽延伸穿过预金属化电介质层，在接触蚀刻停止层处或之中触底。同样填充有金属材料的第二沟槽延伸穿过预金属化电介质层和接触蚀刻停止层，在CDTI结构的导电区域处或之中触底。第一沟槽在光电二极管区域与电荷储存区域之间形成光学屏蔽。第二沟槽形成用于对CDTI结构进行偏置的触点。

主权项

一种集成电路，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括用于晶体管的掺杂源极或漏极区域；接触蚀刻停止层，所述接触蚀刻停止层叠置在所述半导体衬底上；预金属化电介质层，所述预金属化电介质层叠置在所述接触蚀刻停止层上；第一沟槽，所述第一沟槽填充有金属材料，所述第一沟槽延伸穿过所述预金属化电介质层并且具有终止于所述接触蚀刻停止层处或之中而没有穿过其的底部；以及第二沟槽，所述第二沟槽填充有与填充所述第一沟槽的金属材料相同的金属材料，所述第二沟槽延伸穿过所述预金属化电介质层和所述接触蚀刻停止层并且具有终止于所述掺杂源极或漏极区域处或之中而没有穿过其的底部。