[发明专利]半导体设备及其制造方法

摘要

为了提供一种能够改善信息的读出精度的配置有反熔丝存储单元的半导体设备。本发明提供一种半导体设备，其中，N沟道型的存储晶体管、选择核心晶体管和选择体晶体管分别以串联的方式电连接。存储晶体管和选择核心晶体管形成在SOI衬底的硅层中，并且，选择体晶体管形成在半导体衬底中。字线连接于存储晶体管的存储栅电极，并且，位线连接于选择体晶体管。在向位线施加与从字线施加到存储栅电极的电压极性相反的反电压的同时，执行写入操作。

主权项

一种半导体设备，包括：衬底，具有半导体衬底和在所述半导体衬底上方形成的半导体层，其中，在所述半导体衬底和所述半导体层之间插入有埋藏式绝缘膜；第一元件形成区域，限定在所述衬底中的所述半导体层中；第二元件形成区域，限定在所述衬底中；第一导电型沟道的存储晶体管，形成在所述第一元件形成区域中，并且，包括位于所述半导体层上方的存储栅电极，其中，在所述半导体层和所述存储栅电极之间插入有存储栅绝缘膜；第一导电型沟道的第一选择晶体管，形成在所述第一元件形成区域中；第一导电型沟道的第二选择晶体管，形成在所述第二元件形成区域中；字线，电连接于所述存储栅电极；以及位线，电连接于所述第二选择晶体管，其中，所述存储晶体管、所述第一选择晶体管以及所述第二选择晶体管以串联的方式电连接，其中，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管分别进入导通状态，以向所述字线施加第一电压并因此电介质击穿所述存储栅绝缘膜，以执行信息的写入操作，其中，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管分别进入导通状态，以向所述字线施加第二电压，并因此检测从所述存储栅电极经由所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管流向所述位线的电流，以执行信息的读出操作，以及其中，在向所述位线施加与施加到所述存储栅电极的所述第一电压的极性相反的反电压的同时，执行所述写入操作。