[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，通过在所述半导体基底表面形成抗反射层，所述抗反射层对应所述器件制作区的厚度小于所述抗反射层对应所述边缘区域的厚度，其中，厚度较小的器件制作区的抗反射层易于被刻蚀，利于半导体器件的制作，同时，围绕器件制作区的边缘区域由于较厚抗反射层，避免了半导体器件由于边缘区域被刻蚀造成的缺陷，提高了三维存储器的良率。

主权项

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一堆叠层，所述第一堆叠层包括多层交错堆叠的氧化硅层和氮化硅层；在所述第一堆叠层上形成不定形碳薄膜，形成所述半导体基底，所述半导体基底包括器件制作区和围绕所述器件制作区的边缘区域；在所述半导体基底表面形成抗反射层，所述抗反射层对应所述器件制作区的厚度小于所述抗反射层对应所述边缘区域的厚度；在所述器件制作区形成所述半导体器件；所述形成半导体器件，包括：在所述抗反射层上形成第二掩膜，所述第二掩膜的开口暴露所述抗反射层；刻蚀所述抗反射层、所述不定形碳薄膜、所述第一堆叠层和部分所述衬底，形成沟槽。