[发明专利]三维存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201710132422.8 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN106876397B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 徐强;刘藩东;霍宗亮;夏志良;杨要华;洪培真;华文宇;何佳 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种三维存储器及其形成方法，其中，三维存储器包括：衬底，所述衬底包括相邻的器件区和连接区；位于所述器件区和连接区衬底上的多个分立的叠层结构，所述叠层结构包括多层重叠的栅极；位于相邻叠层结构之间的器件区衬底上的隔离层；位于所述连接区衬底上的连接结构，所述连接结构连接相邻的叠层结构，所述连接结构包括多层重叠的电连接层，各层电连接层两端分别连接相邻叠层结构中位于同一层的栅极；分别位于各层栅极表面的若干插塞，各插塞与所接触的栅极、与所接触栅极位于同一层的栅极、以及与所接触栅极位于同一层的电连接层电连接。所述形成方法能够减少插塞的数量，简化工艺，减小存储器的体积，提高芯片的空间利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括相邻的器件区和连接区；位于所述器件区和连接区衬底上的多个分立的叠层结构，所述叠层结构包括多层重叠的栅极；位于相邻叠层结构之间的器件区衬底上的隔离层；位于所述连接区衬底上的连接结构，所述连接结构连接相邻的叠层结构，所述连接结构包括多层重叠的电连接层，各层电连接层两端分别连接相邻叠层结构中位于同一层的栅极；分别位于各层栅极表面的若干插塞，各插塞与所接触的栅极、与所接触栅极位于同一层的栅极、以及与所接触栅极位于同一层的电连接层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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