[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明的实施方式提供一种能够提高写入的数据的可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含：第一及第二存储器单元；第一及第二选择晶体管，一端分别连接于第一及第二存储器单元；第一及第二位线，分别连接于第一及第二选择晶体管的另一端；及选择线，连接于第一及第二选择晶体管。写入动作包含第一及第二程序循环。在对字线施加编程脉冲的期间，对第一位线施加第一电压，对第二位线施加第二电压，对选择线施加第三电压。在对字线施加编程脉冲之前，对第二位线施加第二电压，对选择线施加第四电压。对选择线施加第四电压的长度为第二程序循环比第一程序循环长。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：第一及第二存储器单元晶体管，能够非易失性地保存数据；第一选择晶体管，一端连接于所述第一存储器单元晶体管的一端；第二选择晶体管，一端连接于所述第二存储器单元晶体管的一端；第一位线，连接于所述第一选择晶体管的另一端；第二位线，连接于所述第二选择晶体管的另一端；第一字线，连接于所述第一及第二存储器单元晶体管的栅极；及第一选择栅极线，连接于所述第一及第二选择晶体管的栅极；且写入动作包含第一程序循环及继所述第一程序循环之后的第二程序循环，所述第一及第二程序循环包含对所述第一字线施加编程脉冲的编程动作及验证动作，所述写入动作在所述第一及第二程序循环的所述编程动作中，在对所述第一字线施加所述编程脉冲的期间，对所述第一位线施加第一电压，对所述第二位线施加比所述第一电压高的第二电压，对所述第一选择栅极线施加比所述第二电压高的第三电压，在对所述第一字线施加所述编程脉冲之前，对所述第二位线施加所述第二电压，对所述第一选择栅极线施加比所述第三电压高的第四电压，对所述第一选择栅极线施加所述第四电压的长度为所述第二程序循环比所述第一程序循环长。