[发明专利]一种制备高度C轴取向的ScAlN薄膜的工艺在审
| 申请号： | 201710133581.X | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN106917088A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨雪梅 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04;C23C16/34;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高度C轴取向的ScAlN的工艺以及降低工艺难度的制备方式，在真空环境中，使用射频使得N2气体电离在基片上产生局部等离子体，利用该等离子体在上述基片上形成氮化层，使用射频磁控溅射方式，在室温条件下完成了在所述的具有淡化层的基片上制备形成Sc掺杂AlN薄膜，ScAlN薄膜中Sc元素的掺杂量相对分子含量为0％～28.87％，根据需要实现调控，制备薄膜中包含的Sc元素的相对原子含量具体有0、7.45％、11.45％、14.49％、21.50％、28.87％这六种含量值，此工艺可以优化ScAlN薄膜的取向，同时降低制备的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高度 取向 scaln 薄膜 工艺 | ||
【主权项】：
一种制备高度C轴取向的ScAlN薄膜的工艺,包括以下步骤：步骤1：将基片A放置在化学沉积基片台上正中央，采用化学沉积法在氮气气氛下，在基片A上制备一层氮化物B。步骤2：将靶材C和靶材D贴片并装入溅射室中，将步骤一中处理得到的基片，固定在基片架上，通入一定流量的氮气和氩气，采用磁控溅射法在基片上沉积ScAlN薄膜。
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