[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710133604.7 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108574010B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张冬平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层上形成图形化的核心层；在核心层顶部和侧壁、以及待刻蚀材料层上形成侧墙膜；对侧墙膜进行至少一次顶部处理，去除高于核心层顶部的侧墙膜，保留核心层侧壁上的侧墙膜作为第一部分侧墙层，保留待刻蚀材料层上的侧墙膜作为第二部分侧墙层；顶部处理的步骤包括：在侧墙膜上形成覆盖位于核心层侧壁以及顶部上侧墙膜表面的牺牲层；去除高于核心层顶部上的牺牲层以及部分厚度或全部厚度的侧墙膜；去除剩余牺牲层；去除核心层；去除核心层后，去除第二部分侧墙层。本发明所述第一部分侧墙层的形貌对称，以第一部分侧墙层为掩膜刻蚀待刻蚀材料层后，可以得到形貌较好的目标图形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成图形化的核心层；在所述核心层顶部和侧壁表面、以及所述待刻蚀材料层上形成侧墙膜；对所述侧墙膜进行至少一次顶部处理，去除高于所述核心层顶部的侧墙膜，保留位于所述核心层侧壁上的所述侧墙膜作为第一部分侧墙层，保留位于所述待刻蚀材料层上的所述侧墙膜作为第二部分侧墙层；其中，所述顶部处理的步骤包括：在所述侧墙膜上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖位于所述核心层侧壁以及顶部上的侧墙膜表面；刻蚀去除高于所述核心层顶部的所述牺牲层以及部分厚度或全部厚度的所述侧墙膜；去除剩余所述牺牲层；形成所述第一部分侧墙层和第二部分侧墙层后，去除所述核心层；去除所述核心层后，去除所述第二部分侧墙层；去除所述第二部分侧墙层后，以所述第一部分侧墙层为掩膜，刻蚀所述待刻蚀材料层。
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