[发明专利]漏连接半超结氮化镓基垂直型异质结功率器件

摘要

本发明公开了一种漏连接半超结氮化镓基垂直型异质结功率器件，其自下而上包括肖特基漏极(15)、衬底(1)、漂移层(3)、孔径层(5)、左右两个对称的电流阻挡层(6)、沟道层(8)、势垒层(9)、帽层(10)和栅极(12)；两个电流阻挡层(6)之间形成孔径(7)，势垒层上的两侧淀积有两个源极(14)，两个源极下方通过离子注入形成两个注入区(13)，帽层两侧刻有两个台阶(11)；其中衬底与漂移层的两侧有两个对称的P柱(2)，两个P柱的上部与电流阻挡层下部之间设有辅助层(4)，肖特基漏极采用高功函数金属。本发明击穿电压高、导通电阻小，可用于电力电子系统。

主权项

一种漏连接半超结氮化镓基垂直型异质结功率器件，包括：衬底(1)、漂移层(3)、孔径层(5)、左右两个对称的电流阻挡层(6)、沟道层(8)、势垒层(9)和肖特基漏极(15)，衬底(1)的上部外延有漂移层(3)，势垒层(9)上的两侧淀积有两个源极(14)，两个源极(14)下方通过离子注入形成两个注入区(13)，源极之间的势垒层上外延有帽层(10)，帽层(10)两侧刻有两个台阶(11)，帽层上面淀积有栅极(12)，两个对称的电流阻挡层(6)之间形成孔径(7)，其特征在于：所述衬底(1)与漂移层(3)，均采用相同掺杂浓度的n型GaN材料；衬底(1)与漂移层(3)的两侧，有两个采用p型GaN材料的柱形结构，即两个P柱(2)；所述P柱(2)，其p型杂质的掺杂浓度与漂移层(3)相同，该P柱(2)和漂移层(3)的上部与电流阻挡层(6)和孔径层(5)的下部之间设有辅助层(4)；所述肖特基漏极(15)，位于衬底(1)与P柱(2)的下面，其与P柱之间的接触表现为欧姆接触特性，而与衬底(1)之间的接触表现为肖特基特性。