[发明专利]一种超薄硅的化学切割方法

摘要

本发明公开一种超薄硅的化学切割方法，属于材料加工技术领域。本发明所述方法主要是通过借助金属丝线（Au、Pt、Ag、Pd）的催化作用，通过在金属丝线与硅锭之间形成的原电池反应，在化学刻蚀液的作用下，实现金属丝线下方硅料的不断溶解，从而实现硅料的化学切割，与传统物理切割（砂浆切割、金刚线切割）相比，该方法无需外界大型动力设备；贵金属丝线起到的是催化原电池反应的作用，切割过程中不会对其造成损耗；丝线极细，能够实现超薄硅片切割（＜30μm）的能力。

主权项

1.一种超薄硅的化学切割方法，其特征在于，具体包括以下步骤：（1）硅锭清洗，去除硅锭表面油污，备用；（2）金属丝线细化、活化处理：采用稀硝酸溶液对金属丝线进行浸泡处理，完成对金属丝线的细化、活化，所述金属丝线为Au、Pt、Ag或Pd；（3）刻蚀液配置：选取氢氟酸或氟化铵与氧化剂混合形成刻蚀液；所述刻蚀液中加入异丙醇或乙醇以改善其切割速度和均匀性；（4）硅锭化学切割：将金属丝线悬空固定在刻蚀槽中，将清洗后的硅锭置于金属丝线上方，将步骤（3）配置好的刻蚀液倒入刻蚀槽中，并将硅锭及金属丝线完全浸没，以实现金属丝线催化的硅锭化学切割；（5）硅片后处理：将切割后的薄片浸泡于碱性溶液中，或者浸泡于HF与氧化剂的混合溶液中进行表面处理，混合溶液中HF的质量百分比浓度为1%~50%，氧化剂的质量百分比浓度为5%~45%，然后采用大量去离子水冲洗、吹干即可，所述氧化剂为H₂O₂、HNO₃、Fe(NO₃)₃、KMnO₄、 KBrO₃、K₂Cr₂O₇、 Na₂S₂O₈中的一种。