[发明专利]一种薄膜晶体管的电性特征测试方法及装置在审
申请号: | 201710135521.1 | 申请日: | 2017-03-08 |
公开(公告)号: | CN106910695A | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 苏国玮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L29/786 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管的电性特征测试方法及装置。该方案中,由于有源层中载流子迁移率不同,对微波信号的反射情况不同,而载流子迁移率反映了薄膜晶体管的电性特性,因而,本方案中,利用激光照射有源层,激发产生载流子后,通过获取有源层对微波信号的反射情况,就可以分析出薄膜晶体管的电性特征,与现有技术中完成源漏极的工艺后再进行测试相比,可以在形成有源层后就测试薄膜晶体管的电性特征,实现了提前预测薄膜晶体管的电性特征,及早发现异常,降低了废弃率。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 特征 测试 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管的电性特征测试方法,其特征在于,包括:在形成待测试的薄膜晶体管的有源层之后,利用第一预设能量的激光激发所述有源层产生载流子,同时利用第二预设能量的微波信号照射产生载流子的所述有源层,并获取所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量;根据预先采集的不同的有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量与薄膜晶体管的电性特征值的对应关系,以及获取的所述有源层对所述第二预设能量的微波信号的反射能量,分析得到待测试的薄膜晶体管的电性特征值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造