[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710135654.9 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107068687B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 吕震宇;施文广;吴关平;万先进;陈保友 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/11556 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种3D NAND存储器件及制造方法，包括：基底；基底上的沿位线方向依次排布的第一存储区、通孔形成区和第二存储区，第一存储区和第二存储区包括存储堆叠层以及存储堆叠层中的沟道孔；在第一存储区和第二存储区之间设置有通孔形成区，通孔形成区包括氧化物层和氮化物层的通孔堆叠层，贯穿通孔堆叠层的贯通接触孔以及通孔堆叠层的侧壁上的绝缘层；第一存储区和第二存储区的栅线缝隙。这种结构的贯通接触孔便于实现存储器件同CMOS芯片的连接，且易于同现有的工艺集成，特别是当堆叠层的厚度不断增加后，无需刻蚀金属堆叠来形成贯通接触孔，利于工艺的实现和集成度的不断提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dnand 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：基底；基底上的沿位线方向依次排布的第一存储区、通孔形成区和第二存储区，第一存储区和第二存储区包括存储堆叠层以及存储堆叠层中的沟道孔；在第一存储区和第二存储区之间设置有通孔形成区，通孔形成区包括氧化物层和氮化物层间隔堆叠的通孔堆叠层，贯穿通孔堆叠层的贯通接触孔以及通孔堆叠层的侧壁上的绝缘层；设置于第一存储区和第二存储区的栅线缝隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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