[发明专利]具有擦除元件的单层多晶硅非易失性存储单元结构

摘要

本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元结构，包含一硅覆绝缘衬底，包含一硅基底、一埋入氧化层及一半导体层；一第一氧化物定义区域及一第二氧化物定义区域，位于所述半导体层；一绝缘区域，位于所述半导体层，隔离所述第一氧化物定义区域与所述第二氧化物定义区域；一P型金氧半选择晶体管，设于所述第一氧化物定义区域；一P型金氧半浮置栅极晶体管，设于所述第一氧化物定义区域，并串接所述P型金氧半选择晶体管，所述P型金氧半浮置栅极晶体管包含一浮置栅极，位于所述第一氧化物定义区域上；以及一浮置栅极延伸，由所述浮置栅极连续延伸至所述第二氧化物定义区域，并与所述第二氧化物定义区域电容耦合。

主权项

1.一种单层多晶硅非易失性存储单元结构，其特征在于，包含：一硅覆绝缘衬底，包含一硅基底、一埋入氧化层及一半导体层；一第一氧化物定义区域及一第二氧化物定义区域，位于所述半导体层；一绝缘区域，位于所述半导体层，所述绝缘区域隔离所述第一氧化物定义区域与所述第二氧化物定义区域；一P型金氧半选择晶体管，设于所述第一氧化物定义区域；一P型金氧半浮置栅极晶体管，设于所述第一氧化物定义区域，并串接所述P型金氧半选择晶体管，其中所述P型金氧半浮置栅极晶体管包含一浮置栅极，位于所述第一氧化物定义区域上；以及一浮置栅极延伸，由所述浮置栅极连续地延伸至所述第二氧化物定义区域，并与所述第二氧化物定义区域电容耦合。