[发明专利]一种NAND-FLASH存储器写操作方法及装置有效
| 申请号： | 201710136138.8 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108573729B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 苏志强 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 苏培华 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种NAND‑FLASH存储器写操作方法及装置，涉及数据存储器操作技术领域。本发明提供的NAND‑FLASH存储器写操作方法及装置，利用写时钟周期分频信号来触发写使能信号有效，使得数据写操作的时间以及地址比对的时间被限制在多个时钟周期内，增加了写操作的时间以及地址比对的时间，提高了NAND‑FLASH存储器写操作的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash 存储器 操作方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种NAND‑FLASH存储器写操作方法，其特征在于，包括：接收通过所述存储器的IO接口输入的数据；将所述输入的数据存储至设定数量的寄存器中；利用写时钟周期分频信号触发写使能信号，使所述写使能信号有效；在所述写使能信号的有效期内，将所述设定数量的寄存器中的数据写入对应的页缓存器中。
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