[发明专利]超结VDMOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710136588.7 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108574012B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 钟圣荣;张新 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种超结VDMOS器件及其制备方法。本发明中超结VDMOS器件，分为原胞区、位于原胞区外周的终端区以及位于终端区外周的截止区，其包括具有第一导电类型的衬底；具有第一导电类型的第一外延层，作为漂移区；第二导电类型柱，位于原胞区的第一外延层中以及终端区的第一外延层中；具有第一导电类型的第一注入区，位于原胞区的第一外延层上；第一注入区的掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；具有第一导电类型的第二外延层，位于终端区的第一外延层上；第二外延层的掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度低；具有第一导电类型的第二注入区，位于截止区的第一外延层上；第二注入区的掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高。本发明的技术方案可以缩短开发时间，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | vdmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结VDMOS器件，分为原胞区、位于所述原胞区外周的终端区以及位于所述终端区外周的截止区；其特征在于，所述超结VDMOS器件包括：具有第一导电类型的衬底；具有第一导电类型的第一外延层，作为漂移区，位于所述衬底上；第二导电类型柱，位于所述原胞区的所述第一外延层中以及所述终端区的所述第一外延层中；具有第一导电类型的第一注入区，位于所述原胞区的所述第一外延层上；所述第一注入区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；具有第一导电类型的第二外延层，位于所述终端区的所述第一外延层上；所述第二外延层的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度低；具有第一导电类型的第二注入区，位于所述截止区的所述第一外延层上；所述第二注入区的掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；具有第二导电类型的体区，位于所述原胞区的所述第二导电类型柱上；具有第二导电类型的场环，位于所述终端区的所述第二导电类型柱上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润华晶微电子有限公司，未经无锡华润华晶微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710136588.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
